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輻射溫度計在單晶硅提拉設(shè)備的溫度控制上的運用

  • 發(fā)布日期:2023-03-06      瀏覽次數(shù):612
    • 輻射溫度計在單晶硅提拉設(shè)備的溫度控制上的運用

      多晶硅在坩堝中熔化時的溫度控制和晶種后旋轉(zhuǎn)提拉時的溫度控制。
      從升降機視口進(jìn)行的溫度測量。

      單晶硅提拉設(shè)備溫度控制示意圖

      單晶硅提拉過程中的溫度控制。

      選型要點

      對于硅的溫度測量,在 1.1 μm 或更小的波長下進(jìn)行溫度測量是最佳的,因為溫度的發(fā)射率變化很小。
      FTKX 系列和 FLHX 系列是理想的,因為它們具有廣泛的遠(yuǎn)距離、小光點類型(從 φ0.15 起)。由于光纖頭結(jié)構(gòu)緊湊且耐熱150°C,因此即使環(huán)境溫度稍高也可以安裝。
      頭分離型無需采取輻射熱對策。

      所選機型

      • NEW!在惡劣環(huán)境和狹小空間也能自由使用的1ms光纖型
        半階型

        光纖式輻射溫度計FTKX系列

        測量溫度范圍:100°C至2000°C

        • 纖維型(耐熱磁場)

        • 高溫

        • 用于通過石英

        • 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

        • 用于金屬

      • NEW! 1ms 輻射溫度計,規(guī)格可根據(jù)測量對象改變

        無纖維輻射溫度計 FLHX 系列

        測量溫度范圍:90°C 至 2000°C

        • 高溫

        • 用于通過石英

        • 0.1ms/1ms快速響應(yīng)

        • 用于金屬




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